BSS138P,215, Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 360мА, 350мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2980 шт. со склада г.Москва
9 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 640 шт. —
7 руб.
от 1280 шт. —
5.60 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 90 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
MOSFET, N CH, 60V, 0.36A, SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:360mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.9ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V; Pow
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 360mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6О© @ 300mA,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V @ 250uA |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 360 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 420 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.72 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
