Hex SiC N-Channel MOSFET, 24-Pin DSO-24 6ED2231S12TXUMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 790 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 790 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Infineon high voltage, high speed power IGBT or SiC MOSFET gate driver with three independent high side and low side referenced output channels for three phase applications.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 6 |
| Package Type | DSO-24 |
| Pin Count | 24 |
| Transistor Material | SiC |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1533 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![STW88N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 0.024Ом, 84А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC000290609.jpg)
ST Microelectronics
3 520 руб.
![MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]](https://static.chipdip.ru/lib/894/DOC005894901.jpg)
