IRF3709ZPBF, Транзистор полевой N-канальный 30В 87А 79Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
71 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 21 шт. —
62 руб.
от 50 шт. —
59 руб.
от 100 шт. —
56 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 497 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 30В 87А 79Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Category | Discrete Semiconductor Products | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 87A(Tc) | |
Design Resources | IRF3709ZL Saber ModelIRF3709ZL Spice Model | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | |
Family | FETs-Single | |
FET Feature | Logic Level Gate | |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 4.5V | |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2130pF @ 15V | |
Mounting Type | Through Hole | |
Online Catalog | N-Channel Logic Level Gate FETs | |
Other Names | *IRF3709ZPBF | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
PCN Assembly/Origin | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
Power - Max | 79W | |
Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 21A, 10V | |
Series | HEXFET® | |
Standard Package | 50 | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
IRF3709ZPBF Datasheet
pdf, 377 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов