IRF540NS, полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)

IRF540NS, полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263 (D2PAK)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
800 шт. со склада г.Москва
44 руб.
Кратность заказа 800 шт.
Добавить в корзину 800 шт. на сумму 35 200 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8031191539
Артикул: IRF540NS

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
TO-263 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Корпус TO-263(D2PAK)
Емкость, пФ 1331
Заряд затвора, нКл 53
Максимальное напряжение сток-исток, В 100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 33
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм 38
Способ монтажа поверхностный(SMT)
Тип MOSFET
Тип проводимости N
Транспортная упаковка: размер/кол-во 40*34*34/800
Упаковка REEL, 800 шт.
Continuous Drain Current (Id) 45A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 30mΩ@10V, 45A
Drain Source Voltage (Vdss) 100V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) -
Input Capacitance (Ciss@Vds) -
Power Dissipation (Pd) -
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) -
Total Gate Charge (Qg@Vgs) -
Type 1PCSNChannel
Вес, г 2.63

Техническая документация

Datasheet
pdf, 676 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.