TP5322N8-G

TP5322N8-G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
160 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 160 руб.
Номенклатурный номер: 8031657075

Описание

Discrete Semiconductors\Fet Transistors\Mosfet
МОП-транзистор 220V 12 Ohm 0.7A

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 260 mA
Pd - рассеивание мощности 1.6 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 12 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 220 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 15 ns
Время спада 15 ns
Высота 1.6 mm
Длина 4.6 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Продукт MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки 2000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 20 ns
Типичное время задержки при включении 10 ns
Торговая марка Microchip Technology
Упаковка / блок SOT-89-3
Ширина 2.6 mm

Техническая документация

Datasheet
pdf, 333 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов