Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF7455PBF, транзистор N канал 30В 15А SO8

IRF7455PBF, транзистор N канал 30В 15А SO8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

190 руб.

Кратность заказа 3 шт.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 570 руб.

Номенклатурный номер: 8074517078

Артикул: IRF7455PBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

транзисторы полевые импортные

MOSFET, N-CH, 30V, 15A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Корпус	SOIC-8
Крутизна характеристики S,А/В	44
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	7.5
Температура, С	-55…+150
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current - (A)	15
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	7.5@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	30
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??12
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)	2
Maximum Power Dissipation - (mW)	2500
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	8
Process Technology	HEXFET
Standard Package Name	SOP
Supplier Package	SOIC
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	37@5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	3480@25V
Typical Output Capacitance - (pF)	870
Вес, г	0.15