Корпус	sot-23
Pd - рассеивание мощности	225 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.94 mm
Длина	2.9 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	220
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BC858BL
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.3 mm
Collector Emitter Voltage Max	30В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	100hFE
DC Усиление Тока hFE	100hFE
Power Dissipation	225мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	BCxxx
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	100МГц
Maximum Collector Base Voltage	30 V
Maximum Collector Emitter Voltage	30 V
Maximum DC Collector Current	100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	300 mW
Minimum DC Current Gain	220
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Вес, г	0.05

BC858BLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А, 0.3 Вт

Описание

Технические параметры

Техническая документация

Дополнительная информация