STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]

Фото 1/5 STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
366 шт. со склада г.Москва
290 руб.
от 15 шт.280 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 9000163334
Артикул: STGP7NC60HD
Бренд: STMicroelectronics

Описание

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.

Технические параметры

Технология/семейство PowerMESH
Наличие встроенного диода Да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 80
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 18.5
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 72
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-220
Вес, г 2.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STGP7NC60HD
pdf, 410 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.