STGW80H65DFB, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
47 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
680 руб.
от 5 шт. —
590 руб.
от 9 шт. —
549 руб.
от 18 шт. —
517 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 680 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Технические параметры
Корпус | TO-247 | |
Brand | STMicroelectronics | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 650 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.6 V | |
Configuration | Single | |
Continuous Collector Current at 25 C | 120 A | |
Continuous Collector Current Ic Max | 80 A | |
Factory Pack Quantity | 600 | |
Gate-Emitter Leakage Current | 250 nA | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V | |
Maximum Operating Temperature | +175 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Package / Case | TO-247-3 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 469 W | |
Product Category | IGBT Transistors | |
RoHS | Details | |
Series | 600-650V IGBTs | |
Technology | Si | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V | |
Configuration: | Single | |
Continuous Collector Current at 25 C: | 120 A | |
Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A | |
Factory Pack Quantity: | 600 | |
Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Package/Case: | TO-247-3 | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 469 W | |
Product Category: | IGBT Transistors | |
Product Type: | IGBT Transistors | |
Subcategory: | IGBTs | |
Technology: | Si | |
Case | TO247-3 | |
Collector current | 80A | |
Collector-emitter voltage | 650V | |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode | |
Gate charge | 414nC | |
Gate-emitter voltage | ±20V | |
Kind of package | tube | |
Mounting | THT | |
Power dissipation | 470W | |
Pulsed collector current | 300A | |
Type of transistor | IGBT | |
Вес, г | 8.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 647 КБ
Datasheet STGWT80H65DFB
pdf, 663 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.