BD138, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1.5 А, 10 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1019 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели
54 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 50 шт. —
43 руб.
от 100 шт. —
40 руб.
от 200 шт. —
37 руб.
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 486 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1.5 А, 10 Вт
Технические параметры
| Корпус | to-126 | |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 10.8 mm | |
| Длина | 7.8 mm | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 | |
| Конфигурация | Single | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A | |
| Минимальная рабочая температура | 65 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
| Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | PNP | |
| Размер фабричной упаковки | 2000 | |
| Серия | BD138 | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка | STMicroelectronics | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | SOT-32-3 | |
| Ширина | 2.7 mm | |
| Base Product Number | BD138 -> | |
| ECCN | EAR99 | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Package | Tube | |
| REACH Status | REACH Unaffected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Series | * | |
| кол-во в упаковке | 50 | |
| Category | Bipolar Power | |
| Collector Current (DC) | 1.5(A) | |
| Collector Current (DC) (Max) | 1.5 A | |
| Collector-Base Voltage | 60(V) | |
| Collector-Emitter Voltage | 60(V) | |
| Configuration | Single | |
| DC Current Gain | 25 | |
| DC Current Gain (Min) | 25 | |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) | |
| Mounting | Through Hole | |
| Number of Elements | 1 | |
| Operating Temp Range | -65C to 150C | |
| Operating Temperature Classification | Military | |
| Output Power | Not Required(W) | |
| Package Type | SOT-32 | |
| Packaging | Rail/Tube | |
| Pin Count | 3+Tab | |
| Power Dissipation | 1.25(W) | |
| Rad Hardened | No | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V | |
| Maximum DC Collector Current | -1.5 A | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Type | PNP | |
| Вес, г | 0.9 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
