STP80NF10FP, Транзистор полевой N-канальный 100В 38А 300Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели
400 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 8 шт. —
350 руб.
от 15 шт. —
319 руб.
от 29 шт. —
306 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 800 руб.
Альтернативные предложения2
Посмотреть аналоги2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 100В 38А 300Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220F | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Fall Time: | 60 ns | |
Id - Continuous Drain Current: | 80 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | Through Hole | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-220-3 | |
Packaging: | Tube | |
Pd - Power Dissipation: | 300 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 189 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms | |
Rise Time: | 80 ns | |
Series: | STP80NF10FP | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | STripFET | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 116 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 80 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 15 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 45 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220FP | |
Pin Count | 3 | |
Series | STripFET II | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
Width | 4.6mm | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.