STD30NF06LT4, Транзистор полевой N-канальный 60В 35А 0.022 Ом, 70Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
334 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
290 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
240 руб.
от 20 шт. —
219 руб.
от 40 шт. —
210 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 580 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 35А 0.022 Ом, 70Вт
Технические параметры
| Корпус | dpak | |
| Channel Type | N Channel | |
| Drain Source On State Resistance | 0.022Ом | |
| Power Dissipation | 70Вт | |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
| Монтаж транзистора | Surface Mount | |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 2.5В | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В | |
| Непрерывный Ток Стока | 35А | |
| Полярность Транзистора | N Канал | |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В | |
| Рассеиваемая Мощность | 70Вт | |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.022Ом | |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 28 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 70 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | DPAK(TO-252) | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | STripFET | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 5 V | |
| Width | 6.2mm | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
| Fall Time: | 25 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 25 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | TO-252-3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC | |
| Qualification: | AEC-Q101 | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 mOhms | |
| Rise Time: | 105 ns | |
| Series: | STD30NF06L | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Type: | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 65 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | |
| Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 857 КБ
Datasheet
pdf, 836 КБ
Datasheet STD30NF06LT4
pdf, 464 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
