STR2N2VH5

PartNumber: STR2N2VH5
Ном. номер: 8244882501
Производитель: ST Microelectronics
STR2N2VH5
63 руб.
Доступно на заказ 291 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 14 шт. — 52 руб.
от 27 шт. — 37 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
Добавить в корзину 7 шт. на сумму 441 руб.
N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: SOT-23, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 20 В

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
STMicroelectronics
Максимальный непрерывный ток стока
2,3 A
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Серия
STripFET V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.75мм
Высота
1.3мм
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Число контактов
3
Размеры
3.04 x 1.75 x 1.3мм
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
6 нКл при 4,5 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
550 пФ при 16 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В

Дополнительная информация

ESD Control Selection Guide V1
N-Channel 20V, 0.025 Ohm typ., 5A STripFET V Power MOSFET in SOT-23 and SOT23-6L Packages Data Sheet

Способы получения товара в регионе Москва

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 день бесплатно
Курьер 1 день 300 руб.*
Евросеть 2 – 4 дня 130 руб.*
PickPoint 2 дня 150 руб.*
ТК Деловые линии 1 день 500 руб.*
Почта России 3 – 4 дня 200 руб.*
Экспресс-почта Major-Express 2 дня 550 руб.*

* для посылок массой до 1 кг