STR2N2VH5

PartNumber: STR2N2VH5
Ном. номер: 8244882501
Производитель: ST Microelectronics
STR2N2VH5
58 руб.
Доступно на заказ 291 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 14 шт. — 49 руб.
от 27 шт. — 35 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
Добавить в корзину 8 шт. на сумму 464 руб.
N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: SOT-23, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 20 В

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
3.04 x 1.75 x 1.3
Максимальный непрерывный ток стока
2.3 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.04 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±8 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
0.35 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
6 нКл при 4.5 В
Типичная входная емкость при Vds
550 пФ при 16 В
Ширина
1.75mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Высота
1.3mm
Длина
3.04mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

N-Channel 20V, 0.025 Ohm typ., 5A STripFET V Power MOSFET in SOT-23 and SOT23-6L Packages Data Sheet

Способы получения товара в регионе Москва

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 день бесплатно
Курьер 1 день 300 руб.*
Евросеть 2 – 4 дня 130 руб.*
PickPoint 2 дня 150 руб.*
ТК Деловые линии 1 день 500 руб.*
Почта России 3 – 4 дня 200 руб.*
Экспресс-почта Major-Express 2 дня 550 руб.*

* для посылок массой до 1 кг