IRFI530NPBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 11А 33Вт, 0.11 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 15 шт. —
160 руб.
от 29 шт. —
145 руб.
от 50 шт. —
139 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 100В 11А 33Вт, 0.11 Ом
Технические параметры
| Корпус | TO-220F | |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 33 W | |
| Qg - заряд затвора | 29.3 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Высота | 15.65 mm | |
| Длина | 10 mm | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 2000 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Торговая марка | Infineon / IR | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | TO-220-3 | |
| Ширина | 4.4 mm | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| FET Feature | - | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V | |
| Manufacturer | Infineon Technologies | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack | |
| Packaging | Tube | |
| Part Status | Active | |
| Power Dissipation (Max) | 41W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 6.6A, 10V | |
| Series | HEXFETВ® | |
| Supplier Device Package | TO-220AB Full-Pak | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet IRFI530NPBF
pdf, 489 КБ
Документация
pdf, 501 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
