STP30NF10

PartNumber: STP30NF10
Ном. номер: 8280755242
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/2 STP30NF10
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 STP30NF10
69 руб.
Доступно на заказ 492 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 22 шт. — 44 руб.
от 50 шт. — 40 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
Добавить в корзину 7 шт. на сумму 483 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220AB, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 35 А, 115Вт

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
35 A
Тип корпуса
TO-220
Максимальное рассеяние мощности
115 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
9.15мм
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.4мм
Transistor Configuration
Одиночный
Типичное время задержки включения
15 ns
Производитель
STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения
45 ns
Серия
STripFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
45 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
40 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1180 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.