MMUN2214LT1G

PartNumber: MMUN2214LT1G
Ном. номер: 8281531529
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 MMUN2214LT1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 MMUN2214LT1G
3 руб.
13539 шт. со склада г.Москва,
срок 5 рабочих дней
от 665 шт. — 2 руб.
от 1330 шт. — 1.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 198 шт.
Показать альтерантивные предложения > > >
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
0.92 руб. 303000 шт. 3-4 недели 3000 шт. 9000 шт.
от 27000 шт. — 0.91 руб.
от 54000 шт. — 0.89 руб.
12 руб. 47150 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 100 шт. — 4 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Digital BJT
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы
Корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+47 кОм

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V
Типичный коэффициент резистора
0.21
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 mA
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.3мм
Тип транзистора
NPN
Высота
0.94мм
Число контактов
3
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.94мм
Типичный входной резистор
10 кΩ
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
80

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.