MMUN2132LT1G, Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 70 шт.
от 353 шт. —
5 руб.
от 706 шт. —
4.10 руб.
от 1412 шт. —
3.50 руб.
Добавить в корзину 70 шт.
на сумму 490 руб.
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы
Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
Технические параметры
Корпус | sot-23 | |
Pd - рассеивание мощности | 246 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 0.94 mm | |
Длина | 2.9 mm | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным | |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 | |
Конфигурация | Single | |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 15 | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V | |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A | |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | PNP | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Серия | MMUN2132L | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased | |
Типичное входное сопротивление | 4.7 kOhms | |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 | |
Торговая марка | ON Semiconductor | |
Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
Ширина | 1.3 mm | |
Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V | |
Maximum DC Collector Current | -100 mA | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Type | PNP | |
Typical Input Resistor | 4.7 kΩ | |
Typical Resistor Ratio | 1 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов