MMBT6520LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 руб.
Мин. кол-во для заказа 27 шт.
от 138 шт. —
14 руб.
от 276 шт. —
12 руб.
от 551 шт. —
11 руб.
Добавить в корзину 27 шт.
на сумму 486 руб.
Посмотреть аналоги3
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 0.5 А, 0.3 Вт
Технические параметры
| Корпус | sot-23 | |
| Automotive | No | |
| Configuration | Single | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant | |
| Lead Shape | Gull-wing | |
| Material | Si | |
| Maximum Base Current (A) | 0.25 | |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.75 1mA 10mA|0.85 2mA 20mA|0.9 3mA 30mA | |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 350 | |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 | |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3 1mA 10mA|0.35 2mA 20mA|0.5 3mA 30mA|1 5mA 50mA | |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 350 | |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.5 | |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 | |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 200 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 | |
| Packaging | Tape and Reel | |
| Part Status | Active | |
| PCB changed | 3 | |
| Pin Count | 3 | |
| PPAP | No | |
| Product Category | Bipolar Small Signal | |
| Standard Package Name | SOT | |
| Supplier Package | SOT-23 | |
| Type | PNP | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet MMBT6520LT1G
pdf, 188 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
