MMBT6520LT1G

PartNumber: MMBT6520LT1G
Ном. номер: 8287531028
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 MMBT6520LT1G
Фото 2/4 MMBT6520LT1GФото 3/4 MMBT6520LT1GФото 4/4 MMBT6520LT1G
11 руб.
Доступно на заказ 6002 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 206 шт. — 6 руб.
от 412 шт. — 4.60 руб.
Мин. кол-во для заказа 40 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
3.60 руб. 24000 шт. 3-4 недели 3000 шт. 3000 шт.
от 18000 шт. — 3.50 руб.
23 руб. 10920 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 100 шт. — 9.50 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
GP BJT
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 0.5 А, 0.3 Вт

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-0.3 V dc
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
20 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-2 V dc
Длина
3.04мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-350 V dc
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
350 V
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
225 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55°C
Ширина
2.64мм
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Тип транзистора
PNP
Высота
1.11мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Размеры
3.04 x 2.64 x 1.11мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15

Дополнительная информация

Datasheet MMBT6520LT1G
Datasheet MMBT6520LT1G
ESD Control Selection Guide V1
MMBT6520LT1G, High Voltage PNP Silicon Transistor

Способы получения товара в регионе Москва

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 день бесплатно
Курьер 1 день 300 руб.*
Евросеть 2 – 4 дня 130 руб.*
PickPoint 2 дня 150 руб.*
ТК Деловые линии 1 день 500 руб.*
Почта России 3 – 4 дня 200 руб.*
Экспресс-почта Major-Express 2 дня 550 руб.*

* для посылок массой до 1 кг