MMBFJ175LT1G

PartNumber: MMBFJ175LT1G
Ном. номер: 8297012617
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 MMBFJ175LT1G
Фото 2/4 MMBFJ175LT1GФото 3/4 MMBFJ175LT1GФото 4/4 MMBFJ175LT1G
29 руб.
Доступно на заказ 395 шт.
Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней
от 80 шт. — 16 руб.
от 160 шт. — 14 руб.
Мин. кол-во для заказа 16 шт.
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
12 руб. 3000 шт. 3-4 недели 3000 шт. 3000 шт.
48 руб. 2945 шт. 2-3 недели 5 шт. 5 шт.
от 100 шт. — 22 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
P-channel JFET, ON Semi P-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Транзисторы / Полевые транзисторы / Транзисторы управляемые p-n переходом
Корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт

Технические параметры

Тип канала
P
Конфигурация
Single
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальный непрерывный ток стока
-1 nA
Максимальное напряжение сток-затвор
-25V
Максимальное сопротивление сток-исток
125 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
-15 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Ширина
1.4mm
Емкость исток-затвор
11 pF@ -10 V
Емкость сток-затвор
11 pF@ 0 V
Запирающий ток сток-исток Idss
-7 → -60mA
Высота
1.01mm
Длина
3.04mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Datasheet MMBFJ175LT1G
Datasheet MMBFJ175LT1G
P−Channel − Depletion JFET Chopper Datasheet

Способы получения товара в регионе Москва

Магазин «ЧИП и ДИП» 1 день бесплатно
Курьер 1 день 300 руб.*
Евросеть 2 – 4 дня 130 руб.*
PickPoint 2 дня 150 руб.*
ТК Деловые линии 1 день 500 руб.*
Почта России 3 – 4 дня 200 руб.*
Экспресс-почта Major-Express 2 дня 550 руб.*

* для посылок массой до 1 кг