CSD16403Q5A, транзистор 8SON
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
от 5 шт. —
160 руб.
от 20 шт. —
149 руб.
от 35 шт. —
148.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Описание
транзисторы полевые импортные
МОП-транзистор N-Ch NexFET Power МОП-транзисторs
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 | |
| Корпус | SON8-3x3 | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 91 | |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1.6 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 3.1 | |
| Температура, С | -55…+150 | |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 3.1 W | |
| Qg - заряд затвора | 13.3 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.9 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Время нарастания | 18.3 ns | |
| Время спада | 9.2 ns | |
| Высота | 1 mm | |
| Длина | 6 mm | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Коммерческое обозначение | NexFET | |
| Конфигурация | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 91 S | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 2500 | |
| Серия | CSD16403Q5A | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения | 15.2 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 11.8 ns | |
| Торговая марка | Texas Instruments | |
| Упаковка / блок | VSONP-8 | |
| Ширина | 4.9 mm | |
| Brand | Texas Instruments | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 2500 | |
| Fall Time | 9.2 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 91 S | |
| Height | 1 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 28 A | |
| Length | 4.9 mm | |
| Manufacturer | Texas Instruments | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | VSON-FET-8 | |
| Packaging | Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.1 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 13.3 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.7 mOhms | |
| Rise Time | 18.3 ns | |
| RoHS | Details | |
| Series | CSD16403Q5A | |
| Technology | Si | |
| Tradename | NexFET | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15.2 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 11.8 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.6 V | |
| Width | 5.75 mm | |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet CSD16403Q5A
pdf, 210 КБ
Документация
pdf, 210 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
