STL8N80K5, Транзистор полевой N-канальный 800В 4.5А 0.95 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
91 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
82 руб.
от 20 шт. —
75 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 546 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 800В 4.5А 0.95 Ом
Технические параметры
Корпус | PowerFLAT 5x6 | |
Brand | STMicroelectronics | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 3000 | |
Fall Time | 20 ns | |
Id - Continuous Drain Current | 4.5 A | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | PowerFLAT-5x6-VHV-8 | |
Packaging | Reel | |
Pd - Power Dissipation | 42 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 16.5 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 800 mOhms | |
Rise Time | 14 ns | |
RoHS | Details | |
Series | MDmesh K5 | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 32 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 12 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet STL8N80K5
pdf, 1399 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.