IRFP7430PBF, Транзистор полевой N-канальный 40В 195А 366Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

400 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 8 шт. — 340 руб.

от 15 шт. — 318 руб.

от 25 шт. — 305 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 800 руб.

Номенклатурный номер: 8320710876

Артикул: IRFP7430PBF

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 40В 195А 366Вт

Корпус	TO-247AC
Base Product Number	IRFP7430 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	460nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14240pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-247-3
Power Dissipation (Max)	366W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3mOhm @ 100A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	HEXFETВ®, StrongIRFETв„ў ->
Supplier Device Package	TO-247AC
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 250ВµA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	195 A
Maximum Drain Source Resistance	1.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.9V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	366 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247AC
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	460 nC @ 10 V
Width	5.31mm
Вес, г	8.5