IRFU9120PBF, Транзистор MOSFET P-канал 100В 5.6А [IPAK]

Фото 1/4 IRFU9120PBF, Транзистор MOSFET P-канал 100В 5.6А [IPAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
230 руб.
от 15 шт.220 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 230 руб.
Номенклатурный номер: 9000416118
Артикул: IRFU9120PBF

Описание

The IRFU9120PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The straight lead version is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.

• Dynamic dV/dt rating
• Straight lead
• Repetitive avalanche rated

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.6 Ом/3.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 47
Корпус D2PAK(2 Leads+Tab)
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора TO-251AA
Рассеиваемая Мощность 42Вт
Полярность Транзистора P Канал
Напряжение Истока-стока Vds -100В
Непрерывный Ток Стока 5.6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.6Ом
Напряжение Измерения Rds(on) -10В
Пороговое Напряжение Vgs -4В
Вес, г 0.45

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1176 КБ
Datasheet
pdf, 1098 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов