PDTC114TT,215, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+

Фото 1/6 PDTC114TT,215, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
180 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 76 шт.
Добавить в корзину 76 шт. на сумму 532 руб.
Альтернативные предложения5
Номенклатурный номер: 8330346790
Артикул: PDTC114TT,215
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+

Технические параметры

Корпус sot-23
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3 mm
Другие названия товара № 934034900215
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация AEC-Q101
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Brand Nexperia
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 100 mA
Factory Pack Quantity 3000
Manufacturer Nexperia
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Packaging Cut Tape or Reel
Part # Aliases PDTC114TT T/R
Peak DC Collector Current 100 mA
Product Category Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Qualification AEC-Q101
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN
Typical Input Resistor 10 kOhms
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 5V
Family Transistors-Bipolar(BJT)-Single, Pre-Biased
Mounting Type Surface Mount
Part Status Active
Power - Max 250mW
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Standard Package 1
Supplier Device Package SOT-23(TO-236AB)
Transistor Type NPN-Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 575 КБ
Datasheet
pdf, 81 КБ
Datasheet PDTC114TU,115
pdf, 581 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.