MJ21194G

PartNumber: MJ21194G
Ном. номер: 8354953690
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 MJ21194G
Фото 2/3 MJ21194GФото 3/3 MJ21194G
Доступно на заказ 176 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
830 руб. × = 830 руб.
от 10 шт. — 510 руб.
от 30 шт. — 440.94 руб.
Есть аналоги

Описание

The MJ21194G is a 250V Silicon NPN Bipolar Power Transistor that utilizes perforated emitter technology and is specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.

• Total harmonic distortion characterized
• High DC current gain
• Excellent gain linearity
• High SOA

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Корпус: TO-3, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 250 Вт

Технические параметры

конфигурация
Single
размеры
8.51 x 39.37 x 26.67mm
высота
8.51mm
длина
39.37mm
Maximum Collector Base Voltage
400 V
Maximum Collector Emitter Voltage
250 V
Maximum DC Collector Current
16 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
4 MHz
максимальная рабочая температура
+200 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
250 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-204
Pin Count
3
ширина
26.67mm
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Minimum DC Current Gain
25
Transistor Type
NPN

Техническая документация

MJ21193, MJ21194
pdf, 122 КБ

Дополнительная информация

Datasheet MJ21194G
Datasheet MJ21194G