IRFIB7N50APBF, Транзистор полевой N-канальный 500В 6,6А 60Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
140 руб.
от 20 шт. —
134 руб.
от 50 шт. —
129 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 500В 6,6А 60Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220F | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Высота | 15.49 mm | |
| Длина | 10.41 mm | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Размер фабричной упаковки | 50 | |
| Серия | IRFIB | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | TO-220-3 | |
| Ширина | 4.7 mm | |
| Base Product Number | IRFIB7 -> | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6.6A (Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1423pF @ 25V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
| Package | Tube | |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 4A, 10V | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | TO-220-3 | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±30V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 6.1 | |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 520 | |
| Температура, С | -55…+150 | |
| Automotive | No | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Single | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant | |
| Lead Shape | Through Hole | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.6 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 520 10V | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 60000 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Part Status | Active | |
| PCB changed | 3 | |
| Pin Count | 3 | |
| PPAP | No | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Standard Package Name | TO-220 | |
| Supplier Package | TO-220FP | |
| Tab | Tab | |
| Typical Fall Time (ns) | 28 | |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 52(Max) | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 52(Max)10V | |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1423 25V | |
| Typical Rise Time (ns) | 35 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 32 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 | |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.6 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 520 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 60 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Package Type | TO-220FP | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 143 КБ
Datasheet
pdf, 143 КБ
Datasheet IRFIB7N50APBF
pdf, 194 КБ
Datasheet IRFIB7N50APBF
pdf, 149 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
