BCR133SH6327, Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 130 МГц, 10 кОм+10 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 руб.
Мин. кол-во для заказа 16 шт.
от 82 шт. —
24 руб.
от 163 шт. —
22 руб.
от 326 шт. —
20 руб.
Добавить в корзину 16 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки цифровых транзисторов
Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 130 МГц, 10 кОм+10 кОм
Технические параметры
| Корпус | SOT-363 | |
| Brand: | Infineon Technologies | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V | |
| Continuous Collector Current: | 100 mA | |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 | |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 50 V | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
| Manufacturer: | Infineon | |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Package / Case: | SOT-363 | |
| Part # Aliases: | SP000755050 BCR133SH6327XT BCR133SH6327XTSA1 | |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW | |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA | |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased | |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased | |
| Qualification: | AEC-Q101 | |
| Series: | BCR133 | |
| Subcategory: | Transistors | |
| Transistor Polarity: | NPN | |
| Typical Input Resistor: | 10 kOhms | |
| Typical Resistor Ratio: | 1 | |
| Вес, г | 0.037 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 235 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
