STB8N65M5, Транзистор полевой N-канальный 650В 7A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
43 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
Добавить в корзину 11 шт.
на сумму 473 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 650В 7A
Технические параметры
| Корпус | D2Pak(TO-263) | |
| Brand: | STMicroelectronics | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A | |
| Manufacturer: | STMicroelectronics | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | TO-263-3 | |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 560 mOhms | |
| Series: | Mdmesh M5 | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | MDmesh | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
| Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1435 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
