IRF1010ZPBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 75А 140Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 13 шт. —
180 руб.
от 26 шт. —
162 руб.
от 50 шт. —
154 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 660 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 55В 75А 140Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-220 Isolated Tab | |
| Id - непрерывный ток утечки | 94 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 140 W | |
| Qg - заряд затвора | 63 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V | |
| Вид монтажа | Through Hole | |
| Высота | 15.65 mm | |
| Длина | 10 mm | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Торговая марка | Infineon / IR | |
| Упаковка | Tube | |
| Упаковка / блок | TO-220-3 | |
| Ширина | 4.4 mm | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 94 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 140 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | HEXFET | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| Width | 4.69mm | |
| Category | Discrete Semiconductor Products | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Design Resources | IRF1010ZL Saber ModelIRF1010ZL Spice Model | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V | |
| Family | FETs-Single | |
| FET Feature | Standard | |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 95nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2840pF @ 25V | |
| Online Catalog | N-Channel Standard FETs | |
| Other Names | *IRF1010ZPBF | |
| Package / Case | TO-220-3 | |
| Packaging | Tube | |
| PCN Assembly/Origin | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
| Power - Max | 140W | |
| Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 75A, 10V | |
| Standard Package | 50 | |
| Supplier Device Package | TO-220AB | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 353 КБ
Datasheet IRF1010ZPBF
pdf, 399 КБ
Документация
pdf, 407 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
