BSP296NH6327, Транзистор полевой N-канальный 100В 1.2А 1.8Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
92 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 29 шт. —
75 руб.
от 57 шт. —
70 руб.
от 113 шт. —
65 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 100В 1.2А 1.8Вт
Технические параметры
Корпус | SOT-223 | |
Id - непрерывный ток утечки | 1.2 A | |
Pd - рассеивание мощности | 1.8 W | |
Qg - заряд затвора | 6.7 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 329 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Время нарастания | 3.8 ns | |
Время спада | 5.2 ns | |
Высота | 1.6 mm | |
Длина | 6.5 mm | |
Другие названия товара № | BSP296NH6327XTSA1 SP001059330 | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.66 S | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Серия | BSP296 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 18.4 ns | |
Типичное время задержки при включении | 3.5 ns | |
Торговая марка | Infineon Technologies | |
Упаковка / блок | SOT-223-4 | |
Ширина | 3.5 mm | |
Base Product Number | BSP296 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.2A (Ta) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 152.7pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA | |
Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1.2A, 10V | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Series | OptiMOSв„ў -> | |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 100ВµA | |
Brand | Infineon Technologies | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | 1 N-Channel | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Fall Time | 5.2 ns | |
Forward Transconductance - Min | 2.66 S | |
Height | 1.6 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 1.2 A | |
Length | 6.5 mm | |
Manufacturer | Infineon | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Packaging | Reel | |
Part # Aliases | BSP296N H6327 SP001059330 | |
Pd - Power Dissipation | 1.8 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 6.7 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 329 mOhms | |
Rise Time | 3.8 ns | |
RoHS | Details | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 18.4 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 3.5 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV | |
Width | 3.5 mm | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 1.2 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 800 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.8V | |
Maximum Power Dissipation | 1.8 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-223 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 4.5 nC @ 10 V | |
Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BSP296N H6327
pdf, 554 КБ
Infineon-BSP296N-DS-v02_00-en
pdf, 569 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов