BSP296NH6327, Транзистор полевой N-канальный 100В 1.2А 1.8Вт

Фото 1/5 BSP296NH6327, Транзистор полевой N-канальный 100В 1.2А 1.8Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
92 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 29 шт.75 руб.
от 57 шт.70 руб.
от 113 шт.65 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 460 руб.
Номенклатурный номер: 8392342453
Артикул: BSP296NH6327

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 100В 1.2А 1.8Вт

Технические параметры

Корпус SOT-223
Id - непрерывный ток утечки 1.2 A
Pd - рассеивание мощности 1.8 W
Qg - заряд затвора 6.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 329 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 800 mV
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 3.8 ns
Время спада 5.2 ns
Высота 1.6 mm
Длина 6.5 mm
Другие названия товара № BSP296NH6327XTSA1 SP001059330
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 2.66 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BSP296
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 18.4 ns
Типичное время задержки при включении 3.5 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.5 mm
Base Product Number BSP296 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 1.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 152.7pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.2A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series OptiMOSв„ў ->
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 100ВµA
Brand Infineon Technologies
Channel Mode Enhancement
Configuration 1 N-Channel
Factory Pack Quantity 1000
Fall Time 5.2 ns
Forward Transconductance - Min 2.66 S
Height 1.6 mm
Id - Continuous Drain Current 1.2 A
Length 6.5 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Packaging Reel
Part # Aliases BSP296N H6327 SP001059330
Pd - Power Dissipation 1.8 W
Product Category MOSFET
Qg - Gate Charge 6.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance 329 mOhms
Rise Time 3.8 ns
RoHS Details
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 18.4 ns
Typical Turn-On Delay Time 3.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 800 mV
Width 3.5 mm
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 1.2 A
Maximum Drain Source Resistance 800 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1.8V
Maximum Power Dissipation 1.8 W
Minimum Gate Threshold Voltage 0.8V
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-223
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 4.5 nC @ 10 V
Вес, г 0.85

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BSP296N H6327
pdf, 554 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов