FQP12N60C, Транзистор полевой N-канальный 600В 12А 225Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
310 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 620 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 600В 12А 225Вт
Технические параметры
| Корпус | to-220 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Lead Finish | Matte Tin | |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V | |
| Mounting | Through Hole | |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C | |
| RDS-on | 650@10V mOhm | |
| Typical Fall Time | 90 ns | |
| Typical Rise Time | 85 ns | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 155 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 30 ns | |
| Вес, г | 3.5 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
