IRL1404PBF, Транзистор полевой N-канальный 40В 160А 200Вт, 0.004 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
310 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
260 руб.
от 19 шт. —
235 руб.
от 37 шт. —
225 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 620 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 40В 160А 200Вт, 0.004 Ом
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Category | Discrete Semiconductor Products | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Design Resources | IRL1404PBF Saber ModelIRL1404PBF Spice Model | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V | |
Family | FETs-Single | |
FET Feature | Standard | |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 140nC @ 5V | |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6590pF @ 25V | |
Mounting Type | Through Hole | |
Online Catalog | N-Channel Standard FETs | |
Other Names | *IRL1404PBF | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Power - Max | 200W | |
Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers)Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 95A, 10V | |
Series | HEXFET® | |
Standard Package | 50 | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
IRL1404 Datasheet
pdf, 128 КБ
Документация
pdf, 222 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов