IRL540PBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 28А 150Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 13 шт. —
180 руб.
от 26 шт. —
166 руб.
от 50 шт. —
159 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 660 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 100В 28А 150Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Id - непрерывный ток утечки | 28 A | |
Pd - рассеивание мощности | 150 W | |
Qg - заряд затвора | 64 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 77 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Время нарастания | 170 ns | |
Время спада | 80 ns | |
Высота | 15.49 mm | |
Длина | 10.41 mm | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 12 S | |
Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 50 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 8.5 ns | |
Типичное время задержки при включении | 35 ns | |
Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220-3 | |
Ширина | 4.7 mm | |
Base Product Number | IRL540 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 28A (Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 5V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) | |
Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77mOhm @ 17A, 5V | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA | |
Automotive | No | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Configuration | Single | |
ECCN (US) | EAR99 | |
EU RoHS | Compliant | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 28 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 77 5V | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Mounting | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Part Status | Active | |
PCB changed | 3 | |
Pin Count | 3 | |
PPAP | No | |
Product Category | Power MOSFET | |
Standard Package Name | TO-220 | |
Supplier Package | TO-220 | |
Tab | Tab | |
Typical Fall Time (ns) | 80 | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 64(Max)5V | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2200 25V | |
Typical Rise Time (ns) | 170 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.5 | |
Drain Source On State Resistance | 0.077Ом | |
Power Dissipation | 150Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 5В | |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В | |
Непрерывный Ток Стока | 28А | |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В | |
Рассеиваемая Мощность | 150Вт | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.077Ом | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB | |
FET Feature | - | |
Manufacturer | Vishay Siliconix | |
Packaging | Tube | |
Series | - | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 252 КБ
Datasheet IRL540PBF
pdf, 1140 КБ
Datasheet IRL540PBF
pdf, 997 КБ
Документация
pdf, 1141 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов