Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF1010EZPBF, Транзистор полевой N-канальный ...

IRF1010EZPBF, Транзистор полевой N-канальный 60В 75А 140Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

210 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 14 шт. — 170 руб.

от 27 шт. — 156 руб.

от 50 шт. — 149 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 630 руб.

Номенклатурный номер: 8475555461

Артикул: IRF1010EZPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 60В 75А 140Вт

Технические параметры

Корпус	TO-220AB
Id - непрерывный ток утечки	84 A
Pd - рассеивание мощности	140 W
Qg - заряд затвора	58 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	8.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	Through Hole
Высота	15.65 mm
Длина	10 mm
Другие названия товара №	SP001571244
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.4 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	84 A
Maximum Drain Source Resistance	8.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	140 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	58 nC @ 10 V
Width	4.83mm
Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Вес, г	2.9