PartNumber: IRF1010EZPBF
Ном. номер: 8475555461
Производитель: International Rectifier
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
110 руб. × = 330 руб.
Минимальное количество для заказа 3 шт.
от 10 шт. — 70 руб.
от 50 шт. — 39.71 руб.
Есть аналоги


The IRF1010EZPBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220AB, инфо: MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB

Дополнительная информация

Datasheet IRF1010EZPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов