BFP196WNH6327XTSA1, Биполярный транзистор NPN 12В 150мА 700мВт Кус 70-140 7,5ГГц

Фото 1/4 BFP196WNH6327XTSA1, Биполярный транзистор NPN 12В 150мА 700мВт Кус 70-140 7,5ГГц
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
13 руб.
Мин. кол-во для заказа 37 шт.
Добавить в корзину 37 шт. на сумму 481 руб.
Номенклатурный номер: 8554446655
Артикул: BFP196WNH6327XTSA1

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы
Биполярный транзистор NPN 12В 150мА 700мВт Кус 70-140 7,5ГГц

Технические параметры

Корпус sot-343
Base Product Number BFP196 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 8V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 7.5GHz
Gain 9.7dB
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.3dB @ 900MHz
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-82A, SOT-343
Power - Max 700mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package PG-SOT343-4
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Maximum Collector Emitter Voltage 12 V
Maximum DC Collector Current 150 mA
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-343
Pin Count 4
Collector Emitter Voltage Max 12В
Continuous Collector Current 150мА
DC Current Gain hFE Min 70hFE
DC Ток Коллектора 150мА
DC Усиление Тока hFE 70hFE
Power Dissipation 700мВт
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора SOT-343
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 12В
Полярность Транзистора NPN
Рассеиваемая Мощность 700мВт
Стиль Корпуса Транзистора SOT-343
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 7.5ГГц
Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 12 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 150 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 70
Emitter- Base Voltage VEBO: 2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Manufacturer: Infineon
Maximum DC Collector Current: 150 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Operating Frequency: 7.5 GHz
Package / Case: SOT-343-4
Packaging: Reel, Cut Tape
Part # Aliases: BFP 196 WN H6327 SP001643166
Pd - Power Dissipation: 700 mW
Product Category: RF Bipolar Transistors
Product Type: RF Bipolar Transistors
Qualification: AEC-Q101
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Transistor Type: Bipolar Wideband
Maximum 3rd Order Intercept Point - (dBm) 32(Typ)
Maximum Collector Base Voltage - (V) 20
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) 12
Maximum DC Collector Current - (A) 0.15
Maximum Emitter Base Voltage - (V) 2
Maximum Noise Figure - (dB) 2.5(Min)
Maximum Power 1dB Compression - (dBm) 19(Typ)
Maximum Power Dissipation - (mW) 700
Maximum Transition Frequency - (MHz) 7500(Typ)
Military Qualified No
Minimum DC Current Gain 70@50mA@8V
Minimum DC Current Gain Range 50 to 120
Operating Temperature - (?C) -55~150
Operational Bias Conditions 8V/50mA
Standard Package Name SOT-343
Supplier Package SOT-343
Typical Input Capacitance - (pF) 0.35
Typical Output Capacitance - (pF) 0.9
Typical Power Gain - (dB) 23.5(Max)
Вес, г 0.054

Техническая документация

Datasheet
pdf, 594 КБ
Документация
pdf, 632 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов