STGWT30V60DF, Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В

STGWT30V60DF, Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
68 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
420 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 7 шт.360 руб.
от 14 шт.331 руб.
от 30 шт.310 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 840 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8564122049
Артикул: STGWT30V60DF
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В

Технические параметры

Корпус TO-3P
Base Product Number STGWT30 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
ECCN EAR99
Gate Charge 163nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max 258W
REACH Status REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr) 53ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-3P
Switching Energy 383ВµJ (on), 233ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 45ns/189ns
Test Condition 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Вес, г 5.6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1911 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.