STGWT30V60DF, Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
68 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
420 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 7 шт. —
360 руб.
от 14 шт. —
331 руб.
от 30 шт. —
310 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 840 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В
Технические параметры
Корпус | TO-3P | |
Base Product Number | STGWT30 -> | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60A | |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A | |
ECCN | EAR99 | |
Gate Charge | 163nC | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
IGBT Type | Trench Field Stop | |
Input Type | Standard | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 | |
Power - Max | 258W | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
Reverse Recovery Time (trr) | 53ns | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | TO-3P | |
Switching Energy | 383ВµJ (on), 233ВµJ (off) | |
Td (on/off) @ 25В°C | 45ns/189ns | |
Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V | |
Вес, г | 5.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1911 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.