IXFP10N80P, N-Channel MOSFET, 10 A, 800 V, 3-Pin TO-220 IXFP10N80P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 450 руб.
от 20 шт. —
2 530 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 450 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYSundefined
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
Maximum Drain Source Resistance | 1.1 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Series | HiperFET, Polar |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
Width | 4.83mm |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IXFP10N80P
pdf, 125 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов