SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42 руб.
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
от 57 шт. —
34 руб.
от 114 шт. —
31 руб.
от 228 шт. —
29 руб.
Добавить в корзину 11 шт.
на сумму 462 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт
Технические параметры
Корпус | SOT23-3 | |
Brand: | Vishay Semiconductors | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
Fall Time: | 7 ns | |
Id - Continuous Drain Current: | 2.3 A | |
Manufacturer: | Vishay | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package/Case: | SOT-23-3 | |
Part # Aliases: | SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-GE3 | |
Pd - Power Dissipation: | 1.66 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 2.3 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 156 mOhms | |
Rise Time: | 10 ns | |
Series: | SI2 | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | TrenchFET | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 1.9 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 156 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 1.09 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 2.3 nC @ 4.5 V, 4.5 nC @ 10 V | |
Width | 1.4mm | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3V | |
Series | TrenchFET | |
Forward Diode Voltage | 1.2V | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 220 КБ
Datasheet
pdf, 246 КБ
Datasheet
pdf, 251 КБ
Datasheet
pdf, 246 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
SI2308BDS-T1-GE3
pdf, 251 КБ
Datasheet Si2308BDS
pdf, 219 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары