IRF740ASPBF, Транзистор полевой N-канальный 400В 10А 125Вт

Фото 1/4 IRF740ASPBF, Транзистор полевой N-канальный 400В 10А 125Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
290 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 22 шт.230 руб.
от 50 шт.214 руб.
от 100 шт.208 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 580 руб.
Номенклатурный номер: 8605580540
Артикул: IRF740ASPBF

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 400В 10А 125Вт

Технические параметры

Корпус D2Pak(TO-263)
Крутизна характеристики S,А/В 4.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 550
Температура, С -55…+150
Brand Vishay Semiconductors
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Factory Pack Quantity 1000
Fall Time 22 ns
Forward Transconductance - Min 4.9 S
Height 4.83 mm
Id - Continuous Drain Current 10 A
Length 10.67 mm
Manufacturer Vishay
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-263AB-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 3.1 W
Product Category MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance 550 mOhms
Rise Time 35 ns
RoHS Details
Series IRF/SIHF740Ax
Technology Si
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 24 ns
Typical Turn-On Delay Time 10 ns
Unit Weight 0.050717 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 400 V
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
Width 9.65 mm
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 10 A
Maximum Drain Source Voltage 400 V
Mounting Type Surface Mount
Package Type D2PAK(TO-263)
Вес, г 1.6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 232 КБ
Документация
pdf, 209 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов