IPD135N03LGATMA1, Транзистор полевой N-канальный 30В 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
56 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 27 шт. —
49 руб.
от 53 шт. —
46 руб.
от 105 шт. —
43 руб.
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 504 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 30В 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Технические параметры
| Корпус | DPAK/TO-252AA | |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13.5 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 2.3 mm | |
| Длина | 6.5 mm | |
| Другие названия товара № | G IPD135N03L IPD135N3LGXT SP000796912 | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS | |
| Конфигурация | Single | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 2500 | |
| Серия | OptiMOS 3 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Торговая марка | Infineon Technologies | |
| Упаковка | Reel, Cut Tape | |
| Упаковка / блок | TO-252-3 | |
| Ширина | 6.22 mm | |
| RoHS Compliant | Yes | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | ?20 V | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55 to 175 ?C | |
| Package | 3TO-252 | |
| Packaging | Tape & Reel | |
| Rad Hard | No | |
| RDS-on | 13.5@10V mOhm | |
| Typical Fall Time | 2.2 ns | |
| Typical Rise Time | 3 ns | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 3 ns | |
| Continuous Drain Current (Id) | 30A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 13.5mΩ@30A, 10V | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1nF@15V | |
| Power Dissipation (Pd) | 31W | |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10nC@10V | |
| Type | 1PCSNChannel | |
| Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Документация
pdf, 1378 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
