Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRFI740G

IRFI740G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

540 руб.

от 2 шт. — 430 руб.

от 5 шт. — 356 руб.

от 10 шт. — 327.60 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 540 руб.

Номенклатурный номер: 8002025735

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор полевой IRFI740GPBF от производителя VISHAY является надежным компонентом для использования в силовой электронике. Монтаж через отверстия (THT) облегчает интеграцию в печатные платы. С током стока 5,4 А и напряжением сток-исток 400 В, этот N-MOSFET транзистор отличается высокой эффективностью. Мощность устройства составляет 40 Вт, что делает его подходящим для широкого спектра применений. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,55 Ом свидетельствует о низких потерях мощности. Корпус TO220F обеспечивает хороший теплоотвод и устойчивость к механическим воздействиям. Надежность и долговечность делают IRFI740GPBF важным элементом в схемах управления и коммутации. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	5.4
Напряжение сток-исток, В	400
Мощность, Вт	40
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.55
Корпус	TO220F

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	5.4A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	66nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1370pF @ 25V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	40W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 3.2A, 10V
Series	-
Supplier Device Package	TO-220-3
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки	5.4 A
Pd - рассеивание мощности	40 W
Qg - заряд затвора	66 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	550 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	400 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	25 ns
Время спада	24 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	3.6 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IRFI
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	54 ns
Типичное время задержки при включении	14 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	5.4
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	550 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	400
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	40000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220FP
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	24
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	66(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	66(Max)10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	1370 25V
Typical Rise Time (ns)	25
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	54
Typical Turn-On Delay Time (ns)	14
Maximum Continuous Drain Current	5.4 A
Maximum Drain Source Resistance	550 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	400 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	40 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	TO-220FP
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	66 nC @ 10 V
Вес, г	3.5