IRFB7434PBF, транзистор N канал 40В 195А 1.6мОм TO220AB StrongIRFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
от 30 шт. —
130 руб.
от 120 шт. —
112 руб.
от 210 шт. —
111.44 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 40В, 317А, 294Вт, TO220AB
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 195 | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 294 | |
Корпус | to220ab | |
Особенности | StrongIRFET | |
Крутизна характеристики S,А/В | 211 | |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 3.9 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1.6 | |
Температура, С | -55…+175 | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 195A(Tc) | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 294W(Tc) | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6mО© @ 100A,10V | |
Transistor Polarity | N Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3.9V @ 250uA | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 317 A | |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V | |
Mounting Type | Through Hole | |
Package Type | TO-220AB | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 195A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
FET Feature | - | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 324nC @ 10V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10820pF @ 25V | |
Manufacturer | Infineon Technologies | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Part Status | Active | |
Power Dissipation (Max) | 294W(Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 100A, 10V | |
Series | HEXFETВ®, StrongIRFETв(ў | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250ВµA | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRFB7434PBF
pdf, 493 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов