STD16NF06T4, Транзистор полевой N-канальный 60В 16А 0.06 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1227 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
93 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 28 шт. —
75 руб.
от 56 шт. —
70 руб.
от 112 шт. —
66 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 465 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 16А 0.06 Ом
Технические параметры
Корпус | dpak | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 16 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 40 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | DPAK(TO-252) | |
Pin Count | 3 | |
Series | STripFET | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 14.1 nC @ 10 V | |
Width | 6.2mm | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
Fall Time: | 5.5 ns | |
Id - Continuous Drain Current: | 16 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +175 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | TO-252-3 | |
Pd - Power Dissipation: | 40 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 14.1 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms | |
Rise Time: | 15 ns | |
Series: | STD16NF06 | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | STripFET | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | |
Brand | STMicroelectronics | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 2500 | |
Fall Time | 5.5 ns | |
Height | 2.4 mm | |
Id - Continuous Drain Current | 16 A | |
Length | 6.6 mm | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-252-3 | |
Packaging | Reel | |
Pd - Power Dissipation | 40 W | |
Product Category | MOSFET | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 70 mOhms | |
Rise Time | 15 ns | |
RoHS | Details | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 16 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 4 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.