IRFR120NTRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 9.4А [D-PAK]
![Фото 1/10 IRFR120NTRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 9.4А [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
54 руб.
от 50 шт. —
52 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 54 руб.
Описание
МОП-транзистор 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.4 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.21 Ом/5.6А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 | |
| Крутизна характеристики, S | 2.7 | |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 390 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFR120NTRPBF
pdf, 407 КБ
Datasheet IRFU120NPBF
pdf, 396 КБ
Datasheet IRFR120NTRLPBF
pdf, 390 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
