PartNumber: IRFR120NTRPBF
Ном. номер: 8704310683
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRFR120NTRPBF
Фото 2/2 IRFR120NTRPBF
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
44 руб. × = 264 руб.
Минимальное количество для заказа 6 шт.
от 100 шт. — 20 руб.
от 400 шт. — 15.90 руб.
Есть аналоги


The IRFR120NTRPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level of 1.5W is possible in a typical surface-mount application.

• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: DPAK/TO252, инфо: MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK

Дополнительная информация

Datasheet IRFR120NTRPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов