BC869,115, Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1 А, 0.5W

Фото 1/6 BC869,115, Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1 А, 0.5W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1075 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
27 руб.
Мин. кол-во для заказа 18 шт.
от 91 шт.21 руб.
от 181 шт.19 руб.
от 362 шт.18 руб.
Добавить в корзину 18 шт. на сумму 486 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8737766530
Артикул: BC869,115
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1 А, 0.5W

Технические параметры

Корпус SOT-89-3
Pd - рассеивание мощности 500 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.6 mm
Длина 4.6 mm
Другие названия товара № 933678780115
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 85
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 50 at 5 mA, 10 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 32 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 20 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 140 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-89-3
Ширина 2.6 mm
Base Product Number BC869 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 85 @ 500mA, 1V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 140MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-243AA
Power - Max 1.2W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-89
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 20V
Maximum DC Collector Current 1A
Pd - Power Dissipation 1.2W
кол-во в упаковке 1000
Maximum Collector Base Voltage -32 V
Maximum Collector Emitter Voltage -20 V
Maximum Emitter Base Voltage -5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.35 W
Minimum DC Current Gain 50
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-89
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 0.097

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1108 КБ
Datasheet
pdf, 811 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 253 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.