STD4N62K3, Транзистор полевой N-канальный 620В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
76 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 34 шт. —
62 руб.
от 68 шт. —
57 руб.
от 136 шт. —
53 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 456 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 620В
Технические параметры
Корпус | dpak | |
Id - непрерывный ток утечки | 3.8 A | |
Pd - рассеивание мощности | 70 W | |
Qg - заряд затвора | 14 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.95 Ohms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 620 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 3 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | MDmesh | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 2500 | |
Серия | STD4N62K3 | |
Технология | Si | |
Тип | SuperMesh3 Power MOSFET | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Торговая марка | STMicroelectronics | |
Упаковка / блок | TO-252-3 | |
Brand | STMicroelectronics | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 2500 | |
Id - Continuous Drain Current | 3.8 A | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-252-3 | |
Packaging | Reel | |
Pd - Power Dissipation | 70 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 14 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.95 Ohms | |
RoHS | Details | |
Series | N-channel MDmesh | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Type | SuperMesh3 Power MOSFET | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 620 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V | |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.