Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP55NF06L, Транзистор полевой N-канальный ...

STP55NF06L, Транзистор полевой N-канальный 60В 55А 95Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

78 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели

140 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 12 шт. — 120 руб.

от 24 шт. — 111 руб.

от 50 шт. — 106 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 560 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8792128025

Артикул: STP55NF06L

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 60В 55А 95Вт

Технические параметры

Корпус	TO-220AB
Максимальная рабочая температура	+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока	55 А
Тип корпуса	TO-220
Максимальное рассеяние мощности	95 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	4.6мм
Высота	9.15мм
Размеры	10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.4мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	20 ns
Производитель	STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения	40 нс
Серия	STripFET II
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Максимальное сопротивление сток-исток	18 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток	60 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	27 нКл при 4,5 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	1700 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-16 V, +16 V
Brand	STMicroelectronics
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	20 ns
Forward Transconductance - Min	30 S
Height	9.15 mm
Id - Continuous Drain Current	55 A
Length	10.4 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	95 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	14 mOhms
Rise Time	100 ns
RoHS	Details
Series	N-channel STripFET
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	40 ns
Typical Turn-On Delay Time	20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage	16 V
Width	4.6 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	55 A
Maximum Drain Source Resistance	18 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-16 V, +16 V
Maximum Power Dissipation	95 W
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	27 nC @ 4.5 V
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	20 ns
Forward Transconductance - Min:	30 S
Id - Continuous Drain Current:	55 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	95 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	27 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	18 mOhms
Rise Time:	100 ns
Series:	STP55NF06L
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel Power MOSFET
Type:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	40 ns
Typical Turn-On Delay Time:	20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-16 V, +16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Вес, г	3.5