NTD2955T4G, Транзистор полевой P-канальный 60В 12А 55Вт

Фото 1/3 NTD2955T4G, Транзистор полевой P-канальный 60В 12А 55Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 25 шт.89 руб.
от 49 шт.82 руб.
от 97 шт.78 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 550 руб.
Номенклатурный номер: 8814556320
Артикул: NTD2955T4G

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 60В 12А 55Вт

Технические параметры

Корпус DPAK/TO-252AA
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 12 A
Maximum Drain Source Resistance 180 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 55 W
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 15 nC @ 10 V
Width 6.22mm
Вес, г 0.66

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 3479 КБ
Datasheet
pdf, 107 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов