NTD2955T4G, Транзистор полевой P-канальный 60В 12А 55Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 25 шт. —
89 руб.
от 49 шт. —
82 руб.
от 97 шт. —
78 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 550 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 60В 12А 55Вт
Технические параметры
Корпус | DPAK/TO-252AA | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | P | |
Maximum Continuous Drain Current | 12 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 55 W | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | DPAK(TO-252) | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
Width | 6.22mm | |
Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов