STP21N65M5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
1 540 руб.
от 2 шт. —
1 420 руб.
от 5 шт. —
1 320 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 540 руб.
Описание
Электроэлемент
Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP21N65M5
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 17A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 100V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 8.5A, 10V |
| Series | MDmeshв(ў V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2.853 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
