BC847BPDW1T1G

PartNumber: BC847BPDW1T1G
Ном. номер: 8892205786
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 BC847BPDW1T1G
Фото 2/4 BC847BPDW1T1GФото 3/4 BC847BPDW1T1GФото 4/4 BC847BPDW1T1G
Доступно на заказ более 800 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
6 руб. × = 270 руб.
Минимальное количество для заказа 45 шт.
от 500 шт. — 2 руб.

Описание

The BC847BPDW1T1G is a NPN-PNP dual General Purpose Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in a surface-mount package for low power applications.

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки биполярных транзисторов
Корпус: SOT363-6, инфо: Биполярный транзистор NPN/PNP, 45В, 0,1А

Технические параметры

конфигурация
Dual
размеры
0.9 x 2 x 1.25mm
высота
0.9mm
длина
2mm
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Maximum DC Collector Current
0.1 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 (PNP) V, 6 (NPN) V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
0.38 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
тип упаковки
SC-88
Pin Count
6
ширина
1.25mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0.9 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.65 V
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Type
NPN, PNP

Дополнительная информация

Datasheet BC847BPDW1T1G
Transistor Bipolar NPN/PNP 45V 0.1A SC88